第一節 產品定義及應用特點

一、產品定義

光學水晶，英文名稱opticquartz，用作各種光學材料和鏡片的水晶。光學水晶用來制作光學系統中的零件，如濾光片、窗口、棱鏡、旋光片等。產品廣泛應用于數碼相機、數碼攝像機、監視器、可視電話、帶攝像功能的手機以及光纖通訊等領域。

二、應用特點

光學水晶廣泛用于光電子產業及各類新型光學電子元器件領域，由于用途的差異，對其品質的要求也有少許差別。如用于制造石英折射計、紅外線分析窗口、光譜儀等，要求無色透明、無巴西雙晶和裂縫等；若用于制作眼鏡片，則要求透明，無包體和裂隙，但可以是無色，也可以是煙色和黑色。

第二節 光學水晶行業發展歷程

光學水晶行業的發展，是和整個晶體產業的生長設備密切相關的。我國人工晶體材料工業經過半個多世紀的發展，在廣大科技工作者的共同努力下，取得了巨大的成就，已具有較高的技術水平和較大的生產能力，而為之配套服務的晶體生長設備—單晶爐也隨之得到了飛速的發展。在40多年的發展過程中，緊跟國際先進技術，使我國的晶體生長設備從無到有、從小到大、從單一品種到多品種系列化，一步一個腳印地發展壯大起來。

1、半導體硅材料生長設備

1961年，在中國科學院半導體物理所林蘭英院士的親自指導下，北京機械學院工廠（西安理工大學工廠的前身）的技術人員與半導體物理所的技術人員共同研制出了我國第一臺人工晶體生長設備—TDK-36型單晶爐，并且成功拉制出了我國第一根無位錯的硅單晶，單晶質量接近當時的國際先進水平，TDK-36型單晶爐榮獲國家級新產品獎。TDK-36型單晶爐投料量只有1kg，拉制單晶直徑Φ35mm。1973年開發了TDR-40型單晶爐，投料量3kg，單晶直徑Φ50mm。1978年，開發了TDR-50型單晶爐，投料量12kg，拉制單晶直徑Φ75mm。

20世紀80年代后期，我國半導體材料工業迅速發展，國內半導體材料制造廠家大量引進美國KAYEX--CG3000型軟軸提拉單晶爐。為滿足我國半導體材料工業不斷發展的需要，1988年西安理工大學工廠承擔了國家“七五”科技攻關項目，研制成功了TDR-62系列軟軸單晶爐，投料量增至30kg，拉制單晶直徑Φ125mm。該爐型采用軟軸提拉機構，大大降低了設備高度。等徑控制采用IRCON光學高溫計、計算機對直徑信號進行控制。我國區熔硅單晶的發展也非?？?，特別是3-4寸區熔硅單晶的需求量在不斷上升，為此，1989年我們研制成功TDL-FZ35型區熔爐，用以生產功率器件所需3～4寸的高質量硅單晶。該設備設置有晶體夾持機構，以保證穩定生長3-4寸單晶。在該設備中首次采用了大直徑焊接波紋管副室結構，傳動部件采用精密滾動絲杠、直線運動導軌、直流力矩機等精密傳動機構，提高了整機的運動穩定性。其各項指標均達到國際先進水平，到目前為止仍是國內3-4寸區熔硅單晶的主要生長設備。為了滿足市場對6-8寸的需求，1996年開發生產了TDR-80型直拉硅單晶爐，該爐型1997年通過部級鑒定，1998年榮獲國家經貿委頒發的國家級新產品獎。1997年開發生產了TDR-70A（B）型直拉硅單晶爐，投料量達到60kg，拉制單晶直徑Φ150mm。

目前國內半導體硅材料生長設備主要是國產的tdr-62系列軟軸單晶爐，tdr-70a（b）、tdr-80型直拉硅單晶爐，美國的cg3000、cg6000型單晶爐和美國kayex150型單晶爐，另外，有少量的德國設備和日本設備。

2、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料生長設備

我國Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的發展從無到有已經發展構比較簡單、性能比較落后。1985年前后，國內陸續引進了英國和法國的高壓單晶爐，生產2″的砷化鎵單晶。但由于進口設備價格相當昂貴，使得大部分生產廠家望塵莫及。為了滿足國內對GaAs、InP等化合物半導體材料的需要，西安理工大學工廠于1991年開發成功了TDR-GY30系列高壓單晶爐(包括TDR-30型高壓單晶爐，TDR-30S三段式加熱型晶爐，TDR-30SC三段式加熱帶磁場型高壓單晶爐)，投料量4kg，拉制單晶直徑Φ75mm，滿足了當時國內市場的需求。同時，由于生長工藝的不同的要求，西安理工大學工廠還陸續開發了TDR-ZY40型、TDR-ZY40A型、TDR-ZY40B型系列中壓單晶爐，用于生長Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料生長設備主要以國產的tdr-gy30系列高壓單晶爐、英國的ci358型高壓單晶爐和國產的tdr-40系列中壓單晶爐為主，另外有法國的高壓單晶爐和一些材料廠家自己生產的高壓單晶爐。

3、激光晶體和非線性光學晶體材料生長設備

我國激光晶體屬于穩步發展情況，由小直徑發展到大直徑，從單一品種發展到現在的多品種，一些新型材料還具有我國自己的自主知識產權。使用的設備有TDL-J40型、SJ78-3型激光晶體爐。銻鎘汞、碲化鎘、BBO、LBO等氧化物晶體材料生長設備主要有SJ82-5型氧化物晶體爐、SJ82-6型化合物晶體爐、SJ83-7型晶體爐、SJ91-9型化合物生長設備、SJ92-10型氧化物生長設備等。特別是近幾年來，隨著我國人工晶體材料工業的飛速發展，對人工晶體生長設備的需求越來越迫切，對設備的性能要求也越來越高，由于人工晶體的種類繁多，生長工藝各不相同，因此，就要求有能夠滿足各類晶體生長工藝的設備。為了滿足我國人工晶體材料生長的需要，近幾年西安理工大學工廠陸續開發了TDL－J75型、TDL(R)－60型、TDL(R)－50型系列激光爐，TDR－Y50型、TDR－Y60型氧化物晶體爐、TDL－N60系列鈮酸鋰鉭酸鋰晶體爐、TDL－F40型釩酸釔晶體爐，TDL－FZ50型區域熔化提純爐等。

激光晶體和非線性光學晶體材料生長設備主要以國產設備為主，有少部分的進口設備（英國、法國）。激光晶體Al2O3、YAG等晶體）材料生長設備主要有TDL－J50型、TDL－J60型、TDL－J75型以及TDL－J40型激光爐。另外，國內一些材料生產廠家根據自己的工藝特點自制了大量的晶體生長設備，如山東大學晶體材料國家重點實驗室、中非人工晶體研究院、東方鉭業集團公司、德清華瑩電子有限公司等單位生產了經濟實用、穩定可靠的多種晶體生長設備等。當然，也有不少晶體材料生產廠家仍使用60年代、70年代的老設備及一些比較簡陋的設備進行生產，這些設備機械磨損嚴重，運動精度差，電器控制精度低，直接影響著晶體的質量。略……

第三節 我國經濟發展環境分析

一、2009年中國經濟發展環境分析

（一）2009年上半年我國經濟運行分析

2009年上半年CPI同比上漲7.9％，國內生產總值130619億元，按可比價格計算，同比增長10.4％，比上年同期回落1.8個百分點。

1、2009年1至5月全國財政收入27108.67億元

2009年1至5月累計，全國財政收入27108.67億元，比2008年同期減少1955.7億元；全國財政支出22496.98億元，同比增加4887.17億元。

2、2009年1-5月份全國規模以上工業企業實現利潤同比下降22.9%

2009年1-5月份，全國規模以上工業企業(年主營業務收入500萬元以上的企業，下同)實現利潤8502億元，同比下降22.9%。

在規模以上工業企業中，國有及國有控股企業實現利潤2467億元，同比下降41.5%。集體企業實現利潤200億元，同比下降0.7%；股份制企業實現利潤4543億元，下降24.1%；外商及港澳臺商投資企業實現利潤2430億元，下降22.4%。私營企業實現利潤2303億元，同比增長2.4%。

在39個工業大類行業中，石油加工及煉焦業由去年同期凈虧損449億元轉為盈利448億元，煤炭開采業利潤同比增長4.2%，建材行業增長8.6%，電力行業增長14.6%，石油和天然氣開采業利潤同比下降75.8%，鋼鐵行業下降97.2%，有色金屬冶煉及壓延加工業下降77.9%，化纖行業利潤下降34.7%，化工行業下降25.4%，電子通信設備制造業下降46.0%，專用設備制造業下降0.9%，交通運輸設備制造業下降7.3%。

規模以上工業企業應交增值稅5553億元，同比下降3.9%，主營業務稅金及附加3030億元，同比增長35.6%。

規模以上工業實現主營業務收入183679億元，同比下降0.8%。

2009年5月末，規模以上工業應收帳款44497億元，同比增長8.0%。產成品資金21211億元，同比增長4.2%。

3、2009年5月CPI同比降1.4%其中食品類降0.6%

2009年5月份，CPI同比下降1.4%，環比下降0.3%。與4月份相比，同比跌幅縮小0.1個百分點，環比跌幅擴大0.1個百分點。

從主要分類看：5月份食品類同比下降0.6%，衣著類和交通通信類下降2.3%，居住類下降4.8%；扣除食品和能源的價格指數下降1.3%；服務項目下降1.3%；食品類環比下降0.6%，居住類環比下降0.3%。上述數據告訴我們：

1）2009年5月份，CPI環比下降0.3%。其中，食品類下降0.6%、居住類下降0.3%，這兩者就影響CPI環比下降0.23個百分點。食品類中，隨著豬肉供應量的不斷增加，豬肉價格進入下跌通道，豬肉環比下跌7.3%，影響CPI下降0.22個百分點。

需要注意的是，2009年1-5月，糧食價格環比分別上漲0.2%、1.0%、1.5%、0.4%、0.8%，已經連續五個月上漲。糧食是許多食品的原料，也與許多農產品(10.65，0.05，0.47%)存在比價關系。因此，糧食價格走勢的抬頭，是否會影響今后CPI的走勢，仍有待進一步的觀察。

2）扣除食品和能源的同比價格指數下降1.3%?？鄢称泛湍茉吹膬r格指數就是我們通常所說的核心CPI。5月份核心CPI同比下降1.3%，比上月增加0.1個百分點。

3）服務項目價格環比持平，同比下降1.3%。其中，一些服務價格出現上漲，衣著加工同比上漲3.9%，家庭服務及加工維修服務上漲5.5%，個人服務上漲4.3%，文娛費上漲1.5%。

2008年—2009年CPI、PPI走勢分析

4、2009年前5月固定資產投資增速創5年新高

2009年1月至5月城鎮固定資產投資為53520億元，同比增長32.9%，增幅比1月至4月高2.4個百分點。其中，5月城鎮固定資產投資達1.64萬億元，單月同比增幅近39%。而32.9%的增幅，是城鎮固定資產投資5年來最高增速，僅次于2004年1月至5月的34.8%。

（二）2009年下半年全球金融危機影響下的中國經濟走勢

隨著09年5月份經濟數據的陸續公布，越來越多的證據表明我國經濟復蘇的跡象日益明顯。預計2009年全年我國經濟增長率將在8%左右。具體來說，中國經濟將在“去庫存”與“去產能”中進行自我修復，并將貢獻7%的GDP增長率；此外，政策進一步的刺激也可以完成1%的增長率貢獻。因此，2009年下半年宏觀經濟運行將呈現一個“非常7+1”的態勢。

在政策大力刺激的作用下，以及上下一致“保增長”的背景下，我國的固定資產投資在今年注定將一直提供超預期的數據；居民消費在“家電下鄉”等各項優惠政策的作用下，也仍將穩定增長；然而，外需在一系列出口刺激政策下并沒有太多起色，世界經濟仍深陷衰退泥潭之中，國內經濟對出口不能指望太多。

具體而言，世界經濟結束金融恐慌進入可預期的衰退階段，金融危機已經轉化為經濟危機，預計外需在半年內還將持續同比下跌15%以上，中國的實體經濟將不得不繼續等待機遇；政府通過直接投資擴大了公共需求，通過補貼誘導與金融信貸條件改善，較好地刺激了內部市場需求，投資在三季度會保持在30%以上的增速，而以汽車與房地產為代表的消費也將維持在15%左右的名義增長水平上。此外，全年通貨膨脹率預計在0.5%。09年2-8月中國經濟進入長達7個月的通貨緊縮期，9月后物價將開始變正，11月與12月將維持在2%的水平上，全年物價上漲率預計不超過0.5%。

但值得注意的是，經濟雖然在穩步復蘇，但是增長的內部需求與消失的外部需求并不匹配；企業的利潤雖然探底回升，但是并不盡如人意；公共財力的消耗在勉力維持，如果不完成投資的空中接力，財政赤字率將突破4%，直逼5%，經濟系統性風險將因此逐步加大。

2009年下半年的宏觀經濟運行取決于市場自我修復與公共財力消耗的博弈。危機對中國經濟不是什么新鮮的事情，中國三十年的經驗足以應對本次危機。一般來講，公共政策的實施要么是已有的成功經驗翻版，要么是國外成功案例的本土化。因此，歷史的經驗有助于我們走出危機。

中國三十年的增長是一個工業化、市場化與城市化交互演化的過程。改革三十年來，中國出現過三次重大的危機——1978年、1992年與1998年，對于這三次危機，我們都是通過迅速提升市場化來解決問題的，繼而延續了城市化突前、工業化跟進的大套路。我們發現到目前為止，現階段解決危機只不過是通過直接投資與補貼消化庫存并加上提振信心來解決問題。如果認同本次危機的嚴重程度不亞于前幾次，那么政策或將在未來面臨進一步調整。

政府負債擴張的結果是經濟的虛分實離，即實體經濟的恢復速度遠遠趕不上資產價格的增長速度，中國可能正進入一個硬啟動下的資產重估過程。在全球貨幣定量寬松的大背景下，國際資金的流動將會進一步推高中國的資產價格；此外，地方政府強力化解財政危機的行為，也必然會導致資產價格上漲。從貨幣政策來看，在美元即將大規模濫發的背景下，資源品價格飛漲，全球通脹預期已經到來，國內第四季度貨幣政策可能會從極度寬松向適度寬松轉變。

二、中國政府的宏觀經濟方向的轉變

2009年6月中旬，環保部新聞發言人陶德田對外稱，從2008年11月至2009年5月底，環境保護部共審議批復365個項目，總投資達14428億元，其中交通、水利、輸變電等基礎設施建設項目125個，總投資4521億元。

上述信息意味著，自中央宣布四萬億投資計劃以來，到今年5月底，掌握著投資項目生殺大權的環保部只批復了365個項目。但實際情況是，從2008年11月到今年5月底，全國新開工項目已經遠遠不止這個數目。根據國家發改委公布的數據，2009年1-5月，全國新開工項目123878個，是環保部批復項目的339倍；全國施工項目216420個，是環保部批復項目的592倍。

可以肯定的是，此輪投資中，地方的項目嚴格通過環評的要遠遠少于沒有通過的。事實上，地方政府為了保增長、上項目，往往只看投資額度。

不過，這樣的投資增速帶動了宏觀層面的好轉，盡管目前來看，經濟回穩的基礎仍不穩固，但是從大面上來看，擴內需的政策已經取得了初步成效。但急速的投資擴張也出現了令人擔憂的狀況。在投資過程中，在一些地方也出現了“兩高一資”抬頭的苗頭。

此外，投資熱潮實際上并沒有給工業企業帶來太多實際效益。09年前五個月，在32.9%的投資增速帶動下，全國規模以上工業增加值同比增長僅為6.3%。企業產銷率始終處于較低水平。工信部的數據顯示，5月份，全國工業產品銷售率比上月進一步回落0.5個百分點，輕、重工業產銷率分別回落0.3個和0.6個百分點。

投資增速和企業利潤嚴重不匹配，這至少說明了兩點，第一，去年四季度至今，宏觀調控的組合拳，投資表現出了強大的效果，但是帶動效應目前還是有限；第二，部分行業產能過剩的情況非常突出。如果投資形勢照此發展下去，此輪宏觀調控將很有可能重蹈1998年那一輪調控的覆轍。

過去7個月的投資急速擴張，并沒有給中國經濟帶來完全符合預期的效果，亦與中央啟動此輪宏觀調控時“遠近結合”的政策初衷出現了些許偏離。不過，投資的帶動效應，卻為第二輪調控創造了條件。6月中旬，決策層開始主動切換調控引擎，結構調整就此成為重中之重。

1、政策下一步

調控重點的轉向將相關部委下一步的政策部署引向了結構調整領域。今后一段時間，將是結構調整政策出臺的密集期。

據悉，國務院已經于近期發文要求相關部門將下一步的工作重點集中到結構調整上來。其中明確提出，環保部要加強對工業投資項目的環評工作，財政部和銀監會也要積極通過對信貸結構的調整。

下一步將聯合相關部門盡快出臺一系列政策措施。其中包括研究制定《鋼鐵行業兼并重組條例》、加快技改進度、加快淘汰落后產能，研究制訂《高耗能落后機電設備產品淘汰目錄》、出臺淘汰落后產能退出機制和配套政策等一系列政策。

結構調整，主要包括環評、淘汰落后和兼并重組，以及企業技改。但是短期內，主要依靠的還是環評和淘汰落后產能?？梢钥隙ǖ氖?，環評今后在宏觀調控中將會發揮重要的力量，這是從源頭上防止“兩高一資”行業投資過熱，引導結構調整的最有力手段，因為環評可以一票否決。

此外，最近一段時間，國務院高層接連召開十大行業座談會，工信部、發改委、財政部等相關部門均派員出席。國務院在會上多次明確要求，最晚在今年7月底，必須將十大產業振興規劃實施細則全部出臺。

十大產業振興規劃不僅是此輪擴大內需政策中的重點，更是結構調整的重中之重。鋼鐵、船舶、紡織、化工等十大產業，均存在產能過剩的問題。落實十大產業振興規劃需要進一步出臺可操作的政策措施。比如，每一個振興規劃都提出了產能淘汰目標，也都提出了技術目標，但是這些目標的實現最終還是要靠政策支持。

2、調動企業投資

不過，在中央財政收支吃緊的情況下，中央財政再次大規模支持的可能性已經不大。，財政在這方面會給予優惠和鼓勵措施，比如補貼、稅費上的優惠等等，但絕對不會像第一輪那樣，財政要拋出多少錢去啟動這項計劃。這一輪主要是在原有投資基礎上調整優化結構，主要以企業為主，企業的技術創新、兼并重組、產業結構的優化等等。

值得注意的是，在政策重點轉向結構調整時，第一輪以投資為主的調控政策并不會因此而放緩。國家發改委官員對本報表示，盡管調控的首要目標發生了變化，但是四萬億投資計劃不會受到影響，仍將按計劃分批下撥，只不過，將會結合結構調整的推進，在資金投向上進一步加大向民生領域的傾斜。

3、結構調整之難

技改是結構調整的重要工作之一，國務院試圖通過技術改造增加主要工業領域內企業技術水平，同時進行落后產能和設備的置換，以進一步擴大企業投資。為此，國務院曾宣布拿出200億專項資金，以貼息的辦法，支持企業技改。首批技改項目已經于4月底全部下發并實施。

根據工信部的測算，中央200億技改資金能拉動的投資規模為4600億。

盡管剛剛開始，但是在技改過程中，已經出現銀行貸款到位資金緩慢、企業技改動力不足的問題。

另一方面，由于技改涉及新的投資和產能擴張，因此對于大型企業來說，可以通過技改，既新上了項目，又可以拿到中央的優惠政策，同時也為兼并重組創造了條件。國家發改委官員說，國家確定的技改領域大部分都存在產能過剩的問題，因此必須警惕地方和企業借技改之名，繼續擴充產能。

但實際上，過去幾年間，以技改之名行擴產之實的企業并不算少，最典型的便是鋼鐵行業。鋼鐵行業的結構調整已經喊了數年之久，其結果卻是越調整，產能過剩反而越嚴重?，F在，這個難題再一次擺在面前。

結構調整的另一個難點在淘汰落后產能。近期，中國船舶工業協會和相關部門要求地方上報淘汰落后造船企業的生產能力，但是卻發現，很多地方政府部門想的卻是如何保住當地的企業。對于地方來說，企業意味著財政收入和就業。

第四節 行業相關政策、法規、標準

1、國家“十一五”將重點發展17類新材料

我國新材料產業“十一五”規劃將重點發展17類新材料。

首先是硅基微納電子材料。我國將發展2－3個滿足100－45納米線寬集成電路需求的8英寸、12英寸硅單晶、晶片和外延片的高技術產業基地，形成年產3000噸多晶硅的生產能力，以及進行6－8英寸SOI、SiGe/Si和應變硅材料示范工程建設。其次是半導體固體照明工程材料與器件。到2010年實現半導體白光照明的產業化，形成由襯底材料、外延片、芯片、封裝和產品應用的完整半導體白光照明產業鏈。第三是平板顯示材料與器件。“十一五”器件，實現大屏幕彩色PDP熒光粉、漿料和PDP顯示器件產業化，三基色OLED發光材料和彩色OLED顯示器件產業化，以及TN－LCD和TFT－LCD液晶材料及其偏光片產業化。此外，發展平板顯示驅動電路IC和平板顯示器件玻璃基板。

此外，“十一五”我國還將發展光電子材料、全固態激光材料、稀土功能材料、功能陶瓷材料、超級鋼材材料與技術、航空航天用關鍵材料、核能工程材料、高速鐵路以及汽車用材料、新型能源材料、生物醫用材料、生態環境材料、海水淡化材料與技術、納米材料與技術以及超導材料。

2、光學水晶用于制作各種光學材料和鏡片的水晶，其相關標準如下：

1）JB/T5590-1991《光譜儀器用濾光片》，規定了光譜儀器用濾光片的術語、分類、基本規格、參數和技術要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸、貯存等。適用于光譜儀器用的濾光片，其基底材料為光學玻璃，其它光學儀器用的濾光片可以參照本標準。

2）JJG(電子)18007-1991《QF-11601型低通濾波器(試行)》于2004年9月2日開始實施。略……

第五節 產品技術發展現狀

光學水晶的主要產地在俄羅斯、中國、日本。只有中國的光學水晶是就地生產就地加工，而日本生長光學水晶的主要原材料為進口。

目前生產最多再生水晶(也就是養晶)，采用一種叫做水熱法的方法來生產養晶。超高壓釜是專為水熱生長人造水晶而設計的超高壓設備。

2009年8月，福建省特檢院三明分院經過近1年的努力，全面完成了三明市港樂水晶有限公司在用的95臺超高壓水晶釜的首次耐壓試驗工作。這是福建省第一次開展超高壓水晶釜試驗，也是目前全國首次開展的如此大規模的超高壓水晶釜的耐壓試驗。在開展超高壓水晶釜耐壓試驗過程中，三明分院組織技術骨干，研究開發了超高壓水晶釜的耐壓試驗裝置，并在使用中不斷地對試壓裝置進行改進，解決耐壓試驗裝置的許多技術難題，終于圓滿完成了試壓任務。

我國光學水晶生長技術較為先進，我國的光學水晶產品——光學低通濾波器依托工藝技術和產品品質，擁有眾多大客戶資源，是索尼、三星、柯達的優秀供應商。

第六節 產品工藝特點或流程

人造水晶生長采用水熱溫差法，該方法是在特制的高壓釜（優質絡鎳鉬釩鋼制成）內進行，一般工作壓力≤1500標準大氣壓（150MP），溫度≤400℃。培養體的熔煉石英放在較高溫度的高壓釜的下部，籽晶懸掛在溫度較低的上部。高壓釜內填充一定程度的溶劑介質。因溫差產生對流，將培養區的飽和溶液帶到籽晶區形成過飽和而結晶。過飽和度的量決定于溶解區與生長區之間的溫差，以及結晶物質溶解度的溫度系數，高壓釜內過飽和度的分布則取決于最后的熱流。通過冷卻析出部分溶質的溶液又流向下部，溶解熔煉石英，如此循環往復，使籽晶得以連續不斷地長。

人造水晶生長工藝流程

第七節 國內外技術未來發展趨勢分析

人工晶體是現代科學技術中不可缺少的特殊功能材料。我國人造水晶技術發展勢頭良好，目前我國光學水晶的技術主要研究的內容依然是光學水晶的生長技術及加工；以及解決光學水晶的“霧狀”包裹體，及其光學均勻性。略……

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